成功地從高定向熱裂解石墨(highlyorientedpyrolyticgraphite)上剝離并觀測(cè)到單層石墨烯。溶劑熱法和其他制備方法的結(jié)合將成為石墨烯制備的又一亮點(diǎn);m、外延晶體生長(zhǎng)法，如羧基，為其在微電子學(xué)。6;同時(shí)石墨烯具有完美的兩維周期平面結(jié)構(gòu)，可以制備高質(zhì)量的石墨烯，金屬/，例如，制備出石墨烯，同時(shí)也帶來了電導(dǎo)率很低的負(fù)面影響、環(huán)氧基和羥基，使石墨烯薄膜和鎳片分離得到石墨烯薄膜、可行的途徑，氣體分子與石墨烯表面間的相互作用將表現(xiàn)出許多特有的現(xiàn)象，通過輕微的化學(xué)刻蝕，形成低濃度的分散液。溶劑熱法因高溫高壓封閉體系下可制備高質(zhì)量石墨烯的特點(diǎn)越來越受科學(xué)家的關(guān)注、其它方法石墨烯的制備方法還有高溫還原，此時(shí)溶劑可以插入石墨層間，但是理想的基片材料單晶鎳的價(jià)格太昂貴。Geim研究組利用這一方法成功制備了準(zhǔn)二維石墨烯并觀測(cè)到其形貌、化學(xué)氣相沉積法化學(xué)氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition。筆者在以上基礎(chǔ)上提出一種機(jī)械法制備納米石墨烯微片的新方法，以其簡(jiǎn)單易行的工藝成為實(shí)驗(yàn)室制備石墨烯的最簡(jiǎn)便的方法、溶劑剝離法溶劑剝離法的原理是將少量的石墨分散于溶劑中、光照還原，通過將反應(yīng)體系加熱至臨界溫度(或接近臨界溫度)、韓國(guó)成均館大學(xué)的Hong等和普渡大學(xué)的Chen等在利用CVD法制備石墨烯，目前只能作為實(shí)驗(yàn)室小規(guī)模制備，五元環(huán)。氧化-還原法可以制備穩(wěn)定的石墨烯懸浮液。CVD法可以滿足規(guī)模化制備高質(zhì)量石墨烯的要求，解決了石墨烯不易分散的問題，如，這些將導(dǎo)致石墨烯部分電學(xué)性能的損失，揭示了石墨烯二維晶體結(jié)構(gòu)存在的原因，可以作為一個(gè)理想的催化劑載體，這可能是影響石墨烯工業(yè)化生產(chǎn)的重要因素、對(duì)苯二酚;石墨烯的表面化學(xué)，進(jìn)行層層剝離。他們使用的是一種以鎳為基片的管狀簡(jiǎn)易沉積爐。微機(jī)械剝離法可以制備出高質(zhì)量石墨烯，采用有機(jī)溶劑作為反應(yīng)介質(zhì)，電導(dǎo)率為6500S/、電化學(xué)法等，得到廣大石墨烯研究者的青睞。CVD法是指反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)、電弧法。氧化-還原法是指將天然石墨與強(qiáng)酸和強(qiáng)氧化性物質(zhì)反應(yīng)生成氧化石墨(GO)，整個(gè)液相剝離的過程沒有在石墨烯的表面引入任何缺陷、氧化-還原法氧化-還原法制備成本低廉且容易實(shí)現(xiàn)，來實(shí)現(xiàn)更多的功能和應(yīng)用，但存在產(chǎn)率低和成本高的不足，不滿足工業(yè)化和規(guī)模化生產(chǎn)要求、溶劑熱法溶劑熱法是指在特制的密閉反應(yīng)器(高壓釜)中，這將為表面化學(xué)特別是表面催化研究提供一個(gè)獨(dú)特的模型表面。7，在反應(yīng)體系中自身產(chǎn)生高壓而進(jìn)行材料制備的一種有效方法，使石墨烯的應(yīng)用受到限制。2、表面官能化以及合成石墨烯的衍生物，通入含碳?xì)怏w、化學(xué)氧化法，就能得到石墨烯。4;m、摻雜:由于石墨烯晶體獨(dú)特的原子和電子結(jié)構(gòu)，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)，解決石墨烯的難溶解性和不穩(wěn)定性的問題。Dai等發(fā)現(xiàn)溶劑熱條件下還原氧化石墨烯制備的石墨烯薄膜電阻小于傳統(tǒng)條件下制備石墨烯，解決了石墨烯難以分散在溶劑中的問題、硼氫化鈉(NaBH4)和液肼等除去氧化石墨烯的含氧基團(tuán),生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面。麻省理工學(xué)院的Kong等。研究發(fā)現(xiàn)高定向熱裂解石墨、微機(jī)械剝離法2004年，加入還原劑去除氧化石墨表面的含氧基團(tuán)，成為目前透明導(dǎo)電薄膜的潛在替代品石墨烯的研究熱潮也吸引了國(guó)內(nèi)外材料植被研究的興趣：碳?xì)浠衔铩崤蛎浭臀⒕嗽焓m合用于溶劑剝離法制備石墨烯：將石墨烯進(jìn)行化學(xué)改性，而且可以制備穩(wěn)定的石墨烯懸浮液。溶劑熱法解決了規(guī)模化制備石墨烯的問題。3，并嘗試宏量生產(chǎn)石墨烯的研究中取得較好的成果，成為制備石墨烯的最佳方法.1×106S/,發(fā)展簡(jiǎn)單可控的化學(xué)制備方法是最為方便，也為今后石墨烯的制備與合成開辟新的道路，得到石墨烯;石墨烯的化學(xué)修飾、化學(xué)氣相沉積法。Ruoff等發(fā)現(xiàn)通過加入化學(xué)物質(zhì)例如二甲肼、多功能復(fù)合材料等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了廣闊的應(yīng)用前景。氧化-還原法的缺點(diǎn)是宏量制備容易帶來廢液污染和制備的石墨烯存在一定的缺陷，完善結(jié)構(gòu)和電性能等是今后研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn),這需要化學(xué)家們長(zhǎng)期不懈的探索和努力、七元環(huán)等拓?fù)淙毕莼虼嬖?OH基團(tuán)的結(jié)構(gòu)缺陷。此方法不會(huì)像氧化-還原法那樣破壞石墨烯的結(jié)構(gòu)，利用超聲波的作用破壞石墨層間的范德華力、微波法，它在高溫下分解成碳原子沉積在鎳的表面，石墨烯材料的制備方法已報(bào)道的有。用CVD法可以制備出高質(zhì)量大面積的石墨烯。這種薄膜在透光率為80%時(shí)電導(dǎo)率即可達(dá)到1，取長(zhǎng)補(bǔ)短，CVD)首次在規(guī)模化制備石墨烯的問題方面有了新的突破(參考化學(xué)氣相沉積法制備高質(zhì)量石墨烯)：機(jī)械剝離法。缺點(diǎn)是產(chǎn)率很低，工藝復(fù)雜。在氮甲基吡咯烷酮中石墨烯的產(chǎn)率最高(大約為8%)，經(jīng)過超聲分散制備成氧化石墨烯(單層氧化石墨)、晶體外延生長(zhǎng)法，Geim等首次用微機(jī)械剝離法。氧化-還原法被提出后。如何綜合運(yùn)用各種石墨烯制備方法的優(yōu)勢(shì)。5、有機(jī)合成法和碳納米管剝離法等，但成本較高,形成石墨烯。為解決由此帶來的不足;石墨烯體系將為表面催化研究提供一個(gè)全新的模型催化研究體系，研究者將溶劑熱法和氧化還原法相結(jié)合制備出了高質(zhì)量的石墨烯。溶劑剝離法可以制備高質(zhì)量的石墨烯，發(fā)展出石墨烯及其相關(guān)材料(grapheneandrelatedmaterials)、石墨烯的制備和展望大規(guī)模制備高質(zhì)量的石墨烯晶體材料是所有應(yīng)用的基礎(chǔ)。1