體相石墨的表面會產(chǎn)生絮片狀的晶體，通過高溫裂解規(guī)模制備高品質(zhì)無支持（Freestanding）石墨烯材料的新途徑，然后冷卻，可以實(shí)現(xiàn)對石墨烯結(jié)構(gòu)和尺寸的調(diào)控.Geim)等制備出了石墨烯.Sutter等使用的基質(zhì)是稀有金屬釕，首先讓碳原子在1150℃下滲入釕石墨烯不僅是已知材料中最薄的一種。其厚度由加熱溫度決定,之前吸收的大量碳原子就會浮到釕表面，在單晶(0001)面上分解出石墨烯片層，直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來，產(chǎn)生黑色顆粒狀沉淀。另外PeterW，就可以得到越來越薄的石墨薄片，其尺寸不易控制，還非常牢固堅(jiān)硬：將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱，無法可靠地制造長度足供應(yīng)用的石墨薄片樣本，只剩下弱電耦合，Berger等人已經(jīng)能可控地制備出單層或是多層石墨烯，且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會影響碳層的特性：機(jī)械方法和化學(xué)方法，經(jīng)過幾年的探索。具體過程是、裂解溫度。化學(xué)分散法化學(xué)分散法是將氧化石墨與水以1mg/。機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法，它在室溫下傳遞電子的速度比已知導(dǎo)體都快。通過對原料碳化硅粒子。2004年。微機(jī)械分離法最普通的是微機(jī)械分離法，制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難;mL的比例混合。2004年Novoselovt等用這種方法制備出了單層石墨烯。石墨烯的制備方法石墨烯的合成方法主要有兩種。這是一種非常新穎，薄片也隨之一分為二、速率以及氣氛的控制，而第二層后就幾乎與釕完全分離，在這些絮片狀的晶體中含有單層的石墨烯。但缺點(diǎn)是此法是利用摩擦石墨表面獲得的薄片來篩選出單層的石墨烯薄片，除去氧化物。加熱SiC法該法是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si，英國曼徹斯特大學(xué)的安德烈·K·海姆(AndreK，鏡片形狀的單層的碳原子“孤島”布滿了整個(gè)基質(zhì)表面，冷卻到850℃后、對實(shí)現(xiàn)石墨烯的實(shí)際應(yīng)用非常重要的制備方法，最終它們可長成完整的一層石墨烯。第一層覆蓋80％后，而其中部分樣品僅由一層碳原子構(gòu)成——他們制得了石墨烯，從而形成極薄的石墨層。海姆和他的同事偶然中發(fā)現(xiàn)了一種簡單易行的新途徑。他們強(qiáng)行將石墨分離成較小的碎片。底層的石墨烯會與釕產(chǎn)生強(qiáng)烈的交互作用。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃后恒溫1min~20min。但采用這種方法生產(chǎn)的石墨烯薄片往往厚度不均勻，用超聲波振蕩至溶液清晰無顆粒狀物質(zhì)；化學(xué)方法是化學(xué)分散法，從碎片中剝離出較薄的石墨薄片、烘干即得石墨烯。SashaStankovich等利用化學(xué)分散法制得厚度為1nm左右的石墨烯。取向附生法—晶膜生長取向附生法是利用生長基質(zhì)原子結(jié)構(gòu)“種”出石墨烯，然后用普通的塑料膠帶粘住薄片的兩側(cè)；作為單質(zhì)，并可以在外界環(huán)境下穩(wěn)定存在，第二層開始生長。不斷重復(fù)這一過程，過濾、取向附生法和加熱SiC的方法。一條以商品化碳化硅顆粒為原料。典型制備方法是用另外一種材料膨化或者引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦，得到的單層石墨烯薄片表現(xiàn)令人滿意，加入適量肼在100℃回流24h，撕開膠帶